Kapasitas penyimpanan internal smartphone kita ketahui bersama seringkali tidak sesuai dengan yang diiklankan. Kapasitasnya kadang sudah "termakan" oleh sistem yang digunakan untuk menjalankan smartphone.
Sehingga kadang walau diiklankan memiliki memori internal yang besar, kapasitas penyimpanan yang tersisa yang bisa digunakan hanya tinggal 60 - 80 persennya saja.
Para peneliti di Rice University baru-baru ini mempublikasikan riset mereka yang dimuat dalam laporan MIT Technology Reviews. Riset tersebut menemukan cara praktis untuk memproduksi masal jenis memori penyimpanan baru.
Dalam riset mereka, ilmuwan Rice University menggunakan metode yang disebut Resistive Random Access Memory (RRAM). Memori seperti itu saat ini sudah dikembangkan oleh beberapa perusahaan, namun prosesnya masih sulit dan biaya produksinya mahal.
Namun para ilmuwan di Rice University menemukan cara agar bisa membuat RRAM dengan suhu dan voltase yang lebih rendah. Dan yang lebih penting lagi, memori tersebut bisa dijejali dengan kapasitas penyimpanan data hingga 1 TB.
Selain itu, dikutip dari situs BGR (24/7/2014), kecepatan RRAM juga diklaim bisa lebih kencang 100 kali dibandingkan dengan memori flash yang beredar saat ini.
Belum jelas kapan teknologi RRAM tersebut akan mulai diadopsi dalam smartphone, tablet, atau bahkan laptop. Belum diketahui juga berapa harganya jika jadi diproduksi.
Namun BGR menyebut salah satu pabrikan memori akan membuat kesepakatan dengan Rice University untuk memproduksi RRAM dalam waktu dekat.
Sebuah startup bernama Crossbar juga disebut BGR akan segera meluncurkan chip RRAM yang ditujukan untuk head unit yang banyak dipasang di dashboard-dashboard mobil. (Kompas.com)
Post a Comment